- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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23 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A... |
1 | 26,930 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 8.8... |
1 | 4,890 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-TD... |
1 | 3,596 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 12A... |
1 | 3 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 23A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IAUC60N04S6N044ATMA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IAUC80N04S6N036ATMA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IAUC100N04S6N028ATMA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IAUC100N04S6N015ATMA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IAUC100N04S6N022ATMA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IAUC120N04S6N013ATMA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-TD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH <= 40V |
1 | 2,000 | 加入询价 |
