- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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21 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET_(20V 40V) PG-... |
1 | 4,090 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A... |
1 | 5,983 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 200A... |
1 | 3,764 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET_(20V 40V) PG-... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | OPTIMOS 5 POWER M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | OPTIMOS POWER MO... |
1 | 1,806 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 58A... |
1 | 115 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 54A... |
1 | 700 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | OPTIMOS POWER MO... |
1 | 649 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-HS... |
1 | 1,973 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V PG-H... |
1 | 23 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET_(20V 40V) PG-... |
1 | 32 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET_(20V 40V) |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET_(75V 120V( PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V PG-H... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET_(75V 120V( PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET_(75V 120V( PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET_(75V 120V( PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET_(75V 120V( PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET_(75V 120V( PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
