供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
TSM60NB099CF C0G Taiwan Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 38A...
1 939 加入询价
SIHA4N80E-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.3...
1 2,000 加入询价
TSM80N400CF C0G Taiwan Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 12A...
1 2,000 加入询价
FQPF18N50V2 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 18A...
1 2,000 加入询价
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