- 品牌:
-
- ON Semiconductor (1)
- 封装/外壳:
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DTMOS VI TOLL PD=... |
1 | 3,970 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 650V DTMOS VI TO-220... |
1 | 184 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 18A... |
1 | 2,450 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 18A... |
1 | 16 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 500V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 500V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |