25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
FQB12P20TM ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 11....
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IRF740ASPBF Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A...
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1 94 加入询价
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MOSFET N-CH 600V 21A...
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SIHB21N65EF-GE3 Vishay / Siliconix
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SIHB125N60EF-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 600V 25A...
1 2,000 加入询价
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