- 封装/外壳：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
10 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Goford Semiconductor | N 200V, RD(MAX)<0.16@10... |
1 | 2,285 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 2,490 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N650V, 11A,RD<360M@10V,... |
1 | 4,900 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N200V, 18A,RD<0.16@10V,V... |
1 | 150 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 145 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 98 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 780 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<170M@10V... |
1 | 80 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<170M@10V... |
1 | 90 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<170M@10V... |
1 | 40 | 加入询价 |
