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分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
100 V
(1)
40 V
(1)
60 V
(1)
80 V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
11.8A(Tc)
(1)
16.7A(Tc)
(1)
25A(Tc)
(1)
9.4A(Tc)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
146 毫欧 @ 2A,10V
(1)
25 毫欧 @ 5A,10V
(1)
52 毫欧 @ 5A,10V
(1)
98 毫欧 @ 5A,10V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
5 nC @ 5 V
(1)
6.1 nC @ 5 V
(1)
6.2 nC @ 5 V
(1)
6.8 nC @ 5 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
664 pF @ 25 V
(1)
706 pF @ 25 V
(1)
715 pF @ 25 V
(1)
716 pF @ 25 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
Vgs(最大值) : ±10V
封装/外壳 : SC-100,SOT-669
功率耗散(最大值) : 37W(Tc)
4 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
BUK9Y59-60E,115
Nexperia
MOSFET N-CH 60V 16.7...
1
2,000
加入询价
BUK9Y153-100E,115
Nexperia
MOSFET N-CH 100V 9.4...
1
2,000
加入询价
BUK9Y107-80EX
Nexperia
MOSFET N-CH 80V 11.8...
1
2,000
加入询价
BUK9Y29-40E,115
Nexperia
MOSFET N-CH 40V 25A...
1
2,000
加入询价
BUK9Y59-60E,115
Nexperia
-
库存 : 2,000
询价
BUK9Y153-100E,115
Nexperia
-
库存 : 2,000
询价
BUK9Y107-80EX
Nexperia
-
库存 : 2,000
询价
BUK9Y29-40E,115
Nexperia
-
库存 : 2,000
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