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- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 技术：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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1,442 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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EPC | GANFET NCH 15V 3.4A... |
1 | 3,116 | 加入询价 | |
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EPC | GANFET NCH 60V 31A ... |
1 | 16,703 | 加入询价 | |
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EPC | GANFET N-CH 150V 48A... |
1 | 8,749 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 12V 14A... |
1 | 42,135 | 加入询价 | |
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|
EPC | TRANS GAN BUMPED... |
1 | 17,509 | 加入询价 | |
|
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EPC | GANFET NCH 40V 31A ... |
1 | 4,269 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN 150V .003O... |
1 | 8,262 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN 200V .005O... |
1 | 4,532 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 60A... |
1 | 8,093 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN 65V AECQ... |
1 | 9,132 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | TRANS SJT 1700V D3P... |
1 | 362 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 665 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN DIE 100V... |
1 | 10,400 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN 100V .0032O... |
1 | 25,947 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWE... |
1 | 178 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | TRENCH 6 30V NCH |
1 | 4,500 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | TRENCH 6 30V NCH |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 42A... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 75A... |
1 | 2,961 | 加入询价 | |
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PANJIT | 100V/ 4.4MOHM/ EXCEL... |
1 | 6,000 | 加入询价 |
