- 品牌：
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- ON Semiconductor (5)
- Microsemi (1)
- Wolfspeed (2)
- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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24 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Microchip Technology | TRANS SJT 1700V D3P... |
1 | 362 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 665 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS D2PAK-7L 65... |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 700V D3... |
1 | 9 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC_DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS D2PAK-7L 65... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC_DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS D2PAK-7L 65... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS D2PAK-7L 65... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS D2PAK-7L 22... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC_DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
