供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
CSD23280F3 Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 1.8A...
1 67,043 加入询价
CSD23285F5 Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 5.4A...
1 21,519 加入询价
CSD23280F3T Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 1.8A...
1 15,338 加入询价
DMP1070UCA3-7 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 3.6A...
1 2,000 加入询价
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