- 品牌：
-
- 工作温度：
-
- 供应商器件封装：
-
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
11 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | SICFET N-CH 1700V 7.... |
1 | 1,208 | 加入询价 | |
|
|
GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 3A... |
1 | 15,660 | 加入询价 | |
|
|
GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 19... |
1 | 1,553 | 加入询价 | |
|
|
GeneSiC Semiconductor | 750V 60M TO-247-3 G3R S... |
1 | 1,200 | 加入询价 | |
|
|
GeneSiC Semiconductor | 750V 60M TO-247-4 G3R S... |
1 | 3,659 | 加入询价 | |
|
|
GeneSiC Semiconductor | 750V 60M TO-263-7 G3R S... |
1 | 1,721 | 加入询价 | |
|
|
GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 10... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SICFET N-CH 1700V 5.... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SICFET N-CH 1700V 9.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SICFET N-CH 1200V 52... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 5... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
