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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
100 V
(1)
40 V
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
12 毫欧 @ 30A,5V
(1)
9 毫欧 @ 30A,5V
(1)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
2.5V @ 5mA
(1)
2.5V @ 9mA
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
11 nC @ 5 V
(1)
11.4 nC @ 5 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
1000 pF @ 50 V
(1)
1300 pF @ 20 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
Vgs(最大值) : +6V,-4V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) : 30A(Tc)
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
FBG04N30BSH
EPC Space
40V 30A
1
2,000
加入询价
FBG10N30BSH
EPC Space
100V 30A
1
2,000
加入询价
FBG04N30BSH
EPC Space
-
库存 : 2,000
询价
FBG10N30BSH
EPC Space
-
库存 : 2,000
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*
型号:
品牌:
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