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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
30 V
(1)
50 V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
350mA(Ta)
(1)
770mA(Ta)
(1)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
(1)
1.5V,4.5V
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
2.8 欧姆 @ 200mA,4.5V
(1)
670 毫欧 @ 770mA,4.5V
(1)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
900mV @ 250µA
(1)
950mV @ 250µA
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
0.4 nC @ 4 V
(1)
0.7 nC @ 4.5 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
30 pF @ 25 V
(1)
30.3 pF @ 15 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
Vgs(最大值) : ±8V
功率耗散(最大值) : 380mW(Ta),2.8W(Tc)
2 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PMH550UNEH
Nexperia
MOSFET N-CH 30V 770M...
1
11,119
加入询价
NX5008NBKHH
Nexperia
MOSFET N-CH 50V 350M...
1
15
加入询价
PMH550UNEH
Nexperia
-
库存 : 11,119
询价
NX5008NBKHH
Nexperia
-
库存 : 15
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