单 FET，MOSFET - 广鸿发科技

封装/外壳：

供应商器件封装：

漏源电压（Vdss）：

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：

功率耗散（最大值）：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	起订量	库存	操作
	BSH207,135	Nexperia	MOSFET P-CH 12V 1.52...	1	2,000	加入询价
	PHK04P02T,518	Nexperia	MOSFET P-CH 16V 4.66...	1	2,000	加入询价

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