- 品牌：
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- Littelfuse (6)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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20 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 4A... |
1 | 2,484 | 加入询价 | |
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Inventchip Technology | SIC MOSFET, 1200V 16... |
1 | 106 | 加入询价 | |
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Littelfuse | SICFET N-CH 1200V 68... |
1 | 13 | 加入询价 | |
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Littelfuse | SICFET N-CH 1700V 90... |
1 | 6 | 加入询价 | |
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Inventchip Technology | SIC MOSFET, 1200V 50... |
1 | 48 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | SICFET N-CH 1200V 48... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | SICFET N-CH 1200V 47... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRANS SJT N-CH 650V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | SICFET N-CH 1.2KV 9... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Inventchip Technology | SIC MOSFET, 1200V 50... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | 1200V 90A SIC POWER ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 45A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
