- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 4A... |
1 | 6,437 | 加入询价 | |
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SemiQ | SIC MOSFET 1200V 80M... |
1 | 662 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 27 | 加入询价 | |
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SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON C... |
1 | 276 | 加入询价 | |
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SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON C... |
1 | 260 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 700V TO... |
1 | 73 | 加入询价 | |
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SemiQ | SIC MOSFET 1200V 80M... |
1 | 70 | 加入询价 | |
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SemiQ | SIC MOSFET 1200V 40M... |
1 | 30 | 加入询价 | |
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SemiQ | SIC MOSFET 1200V 40M... |
1 | 75 | 加入询价 | |
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SemiQ | SIC 1200V 80M MOSFET... |
1 | 64 | 加入询价 | |
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SemiQ | SIC 1200V 80M MOSFET... |
1 | 75 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 7 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 700V 131... |
1 | 1 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1.2KV 7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1200V 53... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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SemiQ | SIC 1200V 40M MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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SemiQ | SIC 1200V 40M MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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WeEn Semiconductors Co., Ltd | WNSCM160120W/TO-247/S... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
