- 品牌：
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- Microchip Technology (17)
- STMicroelectronics (14)
- Microsemi (15)
- SemiQ (8)
- Wolfspeed (11)
- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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90 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 4A... |
1 | 6,437 | 加入询价 | |
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SemiQ | SIC MOSFET 1200V 80M... |
1 | 662 | 加入询价 | |
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Wolfspeed | SICFET N-CH 1700V 5.... |
1 | 7,200 | 加入询价 | |
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Wolfspeed | SICFET N-CH 1200V 10... |
1 | 22,391 | 加入询价 | |
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Wolfspeed | SICFET N-CH 1700V 4.... |
1 | 11 | 加入询价 | |
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Wolfspeed | SICFET N-CH 1700V 5.... |
1 | 8,678 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SICFET N-CH 1200V 12... |
1 | 707 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SICFET N-CH 1200V 20... |
1 | 164 | 加入询价 | |
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Wolfspeed | SICFET N-CH 1200V 90... |
1 | 7,450 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 37 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 650V SIC-MOSFET ... |
1 | 109 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 650V SIC-MOSFET ... |
1 | 175 | 加入询价 | |
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Wolfspeed | SICFET N-CH 1200V 19... |
1 | 339 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 650V SIC-MOSFET ... |
1 | 163 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 1200V SIC-MOSFET... |
1 | 130 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 650V SIC-MOSFET ... |
1 | 161 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 27 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IC POWER MOSFET 1... |
1 | 500 | 加入询价 | |
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SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON C... |
1 | 276 | 加入询价 | |
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|
SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON C... |
1 | 260 | 加入询价 |
