- 品牌：
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- ON Semiconductor (5)
- STMicroelectronics (13)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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23 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GeneSiC Semiconductor | 1200V 12M TO-247-4 G3R S... |
1 | 701 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 90A... |
1 | 120 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS TO247-4L 22M... |
1 | 20 | 加入询价 | |
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|
STMicroelectronics | PTD WBG & POWER RF |
1 | 46 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOSFET 1200 V 14... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 45A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRANS SJT N-CH 650V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | AUTOMOTIVE-GRADE... |
1 | 90 | 加入询价 | |
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|
STMicroelectronics | AUTOMOTIVE-GRADE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOSFET 1200 V 22... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOSFET 1200 V 14... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS TO247-4L 22M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET SIC 1200V 17 ... |
1 | 2 | 加入询价 | |
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WeEn Semiconductors Co., Ltd | WNSC2M1K0170W/TO247/S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 45A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
STMicroelectronics | PTD WBG & POWER RF |
1 | 2,000 | 加入询价 |
