供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
UF3C065080B3 UnitedSiC
MOSFET N-CH 650V 25A...
1 15,892 加入询价
SUK3015 Sanken Electric Co., Ltd.
MOSFET WITH ZENE...
1 36 加入询价
SI4483EDY-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 30V 10A...
1 2,000 加入询价
SI4483EDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 30V 10A...
1 2,000 加入询价
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