封装/外壳:
供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
STW56N60M2 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 52A...
1 179 加入询价
STW55NM60N STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 51A...
1 2,000 加入询价
STW55NM50N STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 54A...
1 2,000 加入询价
STW56N60M2-4 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 52A...
1 455 加入询价
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