供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
DMG4407SSS-13 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 9.9A...
1 44,490 加入询价
SI7121DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 30V 16A...
1 6,220 加入询价
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