- 品牌：
-
- Panasonic (2)
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- FET 功能：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 800M... |
1 | 453,863 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 100M... |
1 | 55,692 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 250M... |
1 | 70,977 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 100M... |
1 | 266,314 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 30V 100M... |
1 | 24,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 250M... |
1 | 17,232 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 250M... |
1 | 24,316 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 30V 200M... |
1 | 10,189 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 430M... |
1 | 41,242 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 200M... |
1 | 28,252 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 30V 100M... |
1 | 73,140 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 430M... |
1 | 62,640 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 200M... |
1 | 16,732 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 200M... |
1 | 2,864 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 100M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 100M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SMALL LOW RON PCH... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 200M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Panasonic | MOSFET P-CH 30V 100M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Panasonic | MOSFET P-CH 30V 100M... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
