- 品牌:
-
- Diodes Incorporated (15)
- Nexperia (3)
- ON Semiconductor (1)
- Panasonic (2)
- EPC Space (1)
- Littelfuse (4)
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- Vgs(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Nexperia | MOSFET N-CH 200V 400... |
1 | 229,219 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET P-CH 200V 225... |
1 | 7,537 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 200V 200... |
1 | 889 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 60M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 200V 35M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET N-CH 200V 550... |
1 | 10,786 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 200V 137... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 320... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 320... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | MOSFET P-CH 200V 260... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 101V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 101V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
EPC Space | GAN FET HEMT 200V 8... |
1 | 150 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 14.... |
1 | 20 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 200V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 0.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Panasonic | MOSFET P-CH 200V 2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Panasonic | MOSFET N-CH 200V 2.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 320... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 60M... |
1 | 2,000 | 加入询价 |