单 FET，MOSFET - 广鸿发科技

供应商器件封装：

漏源电压（Vdss）：

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：

Vgs（最大值）：

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：

功率耗散（最大值）：

图片	型号	品牌	描述	起订量	库存	操作
	STWA58N65DM2AG	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 650V 48A...	1	2,000	加入询价
	UF3C120150K3S	UnitedSiC	SICFET N-CH 1200V 18...	1	2,000	加入询价