- 品牌:
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- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 漏源电压(Vdss):
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- Vgs(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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8 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 18... |
1 | 11 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 30... |
1 | 4 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 30... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 |