- 安装类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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EPC | GANFET N-CH 65V 2A ... |
1 | 54,112 | 加入询价 | |
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EPC | GANFET N-CH 100V 90A... |
1 | 4,814 | 加入询价 | |
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EPC | GANFET NCH 40V 60A ... |
1 | 5,832 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET P-CH 6V 2A S... |
1 | 40,431 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET P-CH 6V 1.8A... |
1 | 17,731 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET P-CH 6V 2A S... |
1 | 2,883 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET P-CH 6V 1.8A... |
1 | 13,620 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 18... |
1 | 11 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 30... |
1 | 4 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 1000V 20... |
1 | 12 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 30... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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EPC | GANFET N-CH 300V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET P-CH 6V 1.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET P-CH 6V 1.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET P-CH 6V 2A S... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
