- 品牌:
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- Nexperia (1)
- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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16 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<22M@10V,... |
1 | 9,000 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<22M@10V,... |
1 | 2,802 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 2.4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 2.4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET N-CH 100V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 2.4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 30V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 30V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 2.4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 30V 21A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |