供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPB180N04S401ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A...
1 2,000 加入询价
STP240N10F7 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180...
1 2,000 加入询价
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