- 品牌：
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- ON Semiconductor (3)
- PANJIT (2)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 3A... |
1 | 2,984 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 8.5... |
1 | 287 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 8.5... |
1 | 195 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 3A... |
1 | 826 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 3A... |
1 | 212 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 8.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 3.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 800V 2.9... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 5.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 5.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 5.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 5.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 600V 5.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 600... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 2.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 2.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 4.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 4.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
