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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
4.1A(Ta)
(1)
4.5A(Ta)
(1)
5.1A(Ta)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
36 毫欧 @ 4.5A,10V
(1)
42 毫欧 @ 4.1A,10V
(2)
功率耗散(最大值):
510mW(Ta)
(1)
510mW(Ta),5W(Tc)
(2)
已选条件:
单 FET,MOSFET
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) : 6.3 nC @ 10 V
安装类型 : 表面贴装型
封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
3 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PMV45EN2R
Nexperia
MOSFET N-CH 30V 4.1A...
1
40,143
加入询价
PMV37EN2R
Nexperia
MOSFET N-CH 30V 4.5A...
1
11,999
加入询价
PMV45EN2VL
Nexperia
MOSFET N-CH 30V 5.1A...
1
2,000
加入询价
PMV45EN2R
Nexperia
-
库存 : 40,143
询价
PMV37EN2R
Nexperia
-
库存 : 11,999
询价
PMV45EN2VL
Nexperia
-
库存 : 2,000
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