25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
BSH202,215 Nexperia
MOSFET P-CH 30V 520M...
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BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A...
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BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies
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