- 品牌：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 60V 3.5A... |
1 | 91,669 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | AECQ MOSFET PCH -... |
1 | 12,000 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 25A... |
1 | 2,693 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 25A... |
1 | 96 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 430... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 28A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 430... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 430... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 430... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
