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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
封装/外壳:
6-UDFN 裸露焊盘
(1)
6-XFBGA,WLCSP
(1)
供应商器件封装:
6-WLCSP(1.48x0.98)
(1)
DFN2020M-6
(1)
FET 类型:
N 通道
(1)
P 通道
(1)
漏源电压(Vdss):
12 V
(1)
20 V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
7.3A(Ta)
(1)
7.6A(Ta)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
18 毫欧 @ 3A,4.5V
(1)
21 毫欧 @ 7.6A,4.5V
(1)
Vgs(最大值):
±10V
(1)
±8V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
1275 pF @ 10 V
(1)
920 pF @ 6 V
(1)
功率耗散(最大值):
1.8W(Ta),12.5W(Tc)
(1)
556mW(Ta),12.5W(Tc)
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) : 24 nC @ 4.5 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) : 900mV @ 250µA
2 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PMCM6501VNEZ
Nexperia
MOSFET N-CH 12V 7.3A...
1
65
加入询价
PMPB19R0UPEX
Nexperia
SMALL SIGNAL MOS...
1
2,000
加入询价
PMCM6501VNEZ
Nexperia
-
库存 : 65
询价
PMPB19R0UPEX
Nexperia
-
库存 : 2,000
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