- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12A... |
1 | 5,023 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5A... |
1 | 12,335 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5A... |
1 | 32,099 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A... |
1 | 4,449 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 25A... |
1 | 14,292 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5A... |
1 | 1,224 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N CH |
1 | 4,745 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 3,471 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N CH |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A... |
1 | 455 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7A... |
1 | 2,317 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 19A... |
1 | 1,084 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17A... |
1 | 1,049 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 12A... |
1 | 287 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 3.9... |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16A... |
1 | 308 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16A... |
1 | 840 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 12A... |
1 | 56 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 16A... |
1 | 61 | 加入询价 |
