- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 16A... |
1 | 59,468 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 24A... |
1 | 5,568 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 22A... |
1 | 29,850 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | 40V 5.8M OPTIMOS MO... |
1 | 9,970 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2A... |
1 | 1 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 4.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
