- 供应商器件封装：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Goford Semiconductor | N200V, 2A,RD<540M@10V,V... |
1 | 2,946 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | MOSFET, N-CH, 100V,6... |
1 | 359 | 加入询价 |
