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分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
55 V
(1)
60 V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
120A(Tc)
(1)
75A(Tc)
(1)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
4.5V,10V
(1)
5V
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
2.5 毫欧 @ 25A,10V
(1)
7.5 毫欧 @ 25A,10V
(1)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
2.1V @ 1mA
(1)
2V @ 1mA
(1)
Vgs(最大值):
±10V
(1)
±15V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
15600 pF @ 25 V
(1)
6021 pF @ 25 V
(1)
功率耗散(最大值):
253W(Tc)
(1)
324W(Tc)
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) : 92 nC @ 5 V
封装/外壳 : TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装 : D2PAK
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
BUK962R8-60E,118
Nexperia
MOSFET N-CH 60V 120A...
1
38
加入询价
BUK9608-55A,118
Nexperia
MOSFET N-CH 55V 75A...
1
2,000
加入询价
BUK962R8-60E,118
Nexperia
-
库存 : 38
询价
BUK9608-55A,118
Nexperia
-
库存 : 2,000
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