供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
Vgs(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SI1410EDH-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2.9A...
1 2,000 加入询价
SI1413EDH-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.3A...
1 2,000 加入询价
SI1417EDH-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 12V 2.7A...
1 2,000 加入询价
SI3441BDV-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.45...
1 2,000 加入询价
SI1413EDH-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.3A...
1 2,000 加入询价
SI1417EDH-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 12V 2.7A...
1 2,000 加入询价
SI3441BDV-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.45...
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