- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (1)
- Nexperia (5)
- ON Semiconductor (29)
- STMicroelectronics (29)
- UMW (1)
- Vishay / Siliconix (17)
- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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168 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 5.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 6.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 2.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 17A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 16A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 8.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 8.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 12.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 250V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 200V 5.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 1.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 5.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 250V 4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 250V 4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
