- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 100V 56A... |
1 | 19,900 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 16.... |
1 | 9,072 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 23.... |
1 | 2,951 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 65A... |
1 | 41 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 56A... |
1 | 775 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | N-CHANNEL 100 V (D-S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 100V 148... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 93.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 131... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 131... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | N-CHANNEL 100 V (D-S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 100V 56A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 100V 35A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 65A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
