- 品牌:
-
- Nexperia (4)
- ON Semiconductor (8)
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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- 功率耗散(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 100V 56A... |
1 | 19,900 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 16.... |
1 | 9,072 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 64A... |
1 | 7,618 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 200A... |
1 | 3,157 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | UMOS9 SOP-ADV(N) P... |
1 | 20,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V PG-T... |
1 | 800 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V PG-T... |
1 | 800 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 23.... |
1 | 2,951 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A... |
1 | 4,784 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-HS... |
1 | 249 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | N-CHANNEL 100 V (D-S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 17.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 40V 330A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 90A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 93.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 131... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET N-CH 30V 120A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |