- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 100V 56A... |
1 | 19,900 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 64A... |
1 | 7,618 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 64A... |
1 | 6,748 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V PG-T... |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V PG-T... |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A... |
1 | 4,784 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-HS... |
1 | 249 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 56A... |
1 | 775 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 850 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 17.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 9.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-HS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 135A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 64A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 64A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 64A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
