25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPD25DP06LMATMA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 6.5A...
1 2,500 加入询价
FDN5618P ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 1.25...
1 2,000 加入询价
FDN5618P_G ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 1.25...
1 2,000 加入询价
IPD06P005LATMA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 6.5A...
1 2,000 加入询价
IPD25DP06LMSAUMA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 6.5A...
1 2,000 加入询价
IPD06P005LSAUMA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 6.5A...
1 2,000 加入询价
FDN5618P-B8 ON Semiconductor
FET -60V 1.7 MOHM SS...
1 2,000 加入询价
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