- 品牌:
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- Nexperia (1)
- 封装/外壳:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- Vgs(最大值):
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- 功率耗散(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<110M@10V... |
1 | 2,473 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET N-CH 40V 85A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 60V 2.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 60V 2.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |