- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A... |
1 | 35,990 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 7.5A... |
1 | 16,911 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 8A... |
1 | 15,673 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | NCH 30V 21A POWER M... |
1 | 5,841 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 100V 24A... |
1 | 1,651 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | HIGH-SPEED SWITC... |
1 | 1,760 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | PCH -60V -3.5A POWER... |
1 | 397 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 1.8... |
1 | 941 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 200V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 90 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 250V 26A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | PCH -30V -5A POWER M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 26A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 13 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | HIGH-SPEED SWITC... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 80V 24A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 60V 5A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 8.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
