- 品牌:
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- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- Vgs(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 25V 82A... |
1 | 11,960 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V PG-T... |
1 | 800 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V PG-T... |
1 | 800 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P-60V,-195A,RD(MAX)<7.... |
1 | 772 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 25.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 89A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |