25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SQM200N04-1M8_GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A...
1 2,000 加入询价
SQM120N04-1M7_GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A...
1 2,000 加入询价
IPB180N04S4LH0ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A...
1 2,000 加入询价
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