- 品牌:
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- 封装/外壳:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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- 功率耗散(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 18.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 18.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 900V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 500V 12.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 550V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | MOSFET N-CH 1200V 10... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 18.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 18.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 900V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |