- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (1)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ROHM Semiconductor | 600V 12A TO-220FM, FAS... |
1 | 1,069 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 24A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | CONSUMER |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 600V 7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 600V 7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 600V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | CONSUMER |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 600V 7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
