- 品牌：
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- ON Semiconductor (5)
- Littelfuse (1)
- PANJIT (3)
- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 500V 8A... |
1 | 3,932 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 500V 9A... |
1 | 21,236 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 4.4... |
1 | 1,899 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 6A... |
1 | 7,227 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 600V 12A TO-220FM, FAS... |
1 | 1,069 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 489 | 加入询价 | |
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PANJIT | 60V N-CHANNEL ENHA... |
1 | 401 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 4.4... |
1 | 876 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 435 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 100V 52A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 14A... |
1 | 7 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 22A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 600V 7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 600V 7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
